که در آن:
- L ضریب خودالقایی سیملوله است. یکای آن در SI هانری است.
- I جریان الکتریکی
- t زمان است.
میزان ضریب خودالقایی برای سیملوله از فرمول زیر بدست میآید[۲]:
که در آن:
- k ضریب سیملوله است و برای سیملوله بدون هسته برابر یک و برای سیملوله هستهدار مقادیر بزرگی مانند هزار است.
ثابت تراوایی مغناطیسی خلا
- N تعداد دورها در سیملوله
- A مساحت یک دور سیملوله
- و l طول سیملوله است.
محتویات[نمایش] |
میدان مغناطیسی [ویرایش]
اندازه میدان مغناطیسی درون یک سیملوله آرمانی (یعنی با طول بینهایت) از قانون آمپر بدست میآید[۳]:
اگر سیملوله ایدهآل نباشد این میزان با تقریب خوبی برای مرکز سیملوله صدق میکند[۴].
کاربردها [ویرایش]
از سیملولهها در مدارهای الکتریکی استفاده میشود و نماد آن L است از آن برای جلوگیری از تغییرات ناگهانی در میزان جریان استفاده میشود زیرا به علت خودالقایی سیملوله در لحظه اول در برابر تغییر میزان جریان ناگهانی مقاومت بینهایت از خود نشان میدهد و مقاومت آن برحسب زمان به سرعت کاهش مییابد تا در بینهایت به صفر میل کند. میزان این تغییر در مدارهای RL (سیملوله و مقاومت) از فرمول زیر پیروی میکند[۵]:
- که t زمان است.
همچنین مدارهای RCL (سیملوله، مقاومت و خازن) در جریان متناوب نیز کاربرد دارند[۶].